优势
TM
半导体
创新照明
氮化铟镓： DWX
部分订购
数
DWB-SJS-Q2R-1
*
• DWB - SJS -Q2
• DWB - SJS -R1
• DWB - SJS -R2
DWB-SJS-RS1-1
• DWB - SJS -R1
• DWB - SJS -R2
• DWB - SJS -S1
DWB-UJS-R2S-1
• DWB - UJS -R2
• DWB - UJS -S1
• DWB - UJS -S2
DWB-UJS-S2T-1
• DWB - UJS -S2
• DWB - UJS -T1
• DWB - UJS -T2
芯片技术
/颜色
氮化铟镓
蓝色， 435-460
VIEWING
角
120
总光通量@
IF = 30mA时MLM （典型值）
370
发光强度@
IF = 30毫安IV （ MCD ）
90.0 - 180.0
90.0 - 112.5
112.5 - 140.0
140.0 - 180.0
470
112.5 - 224.0
112.5 - 140.0
140.0 - 180.0
180.0 - 224.0
600
140.0 - 285.0
140.0 - 180.0
180.0 - 224.0
224.0 - 285.0
900
224.0 - 450.0
224.0 - 285.0
285.0 - 355.0
355.0 - 450.0
*
不适用于新设计
记
1.以上所有的部件号进来的2000单位每卷数量。
2.其他发光强度组也可应要求提供。
3.发光强度被测量为± 11 ％的精度。
4.波长分档进行各单位按波长分档表。只有一个波长组被允许为每个卷轴。
5.波长的InGaN是非常敏感的驱动电流。工作在较低电流不建议，可能产生无法预知的性能
电流脉冲应该被用于调光的目的。
6.选购的VF比南也可根据客人的要求。比南方案是按照下表。
3
04/04/2006 V9.0
DOMINANT [ DOMINANT SEMICONDUCTORS ]
