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DCR1279SD45 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DCR1279SD45
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内容描述: 相位控制晶闸管 [Phase Control Thyristor]
分类和应用: 栅极触发装置可控硅整流器
文件页数/大小: 9 页 / 75 K
品牌: DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
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DCR1279SD
DCR1279SD
相位控制晶闸管
超前信息
取代1998年3月版, DS4643-3.2
2000 DS4643-4.0一月
应用
s
高功率驱动器
s
高压电源
s
直流电机控制
主要参数
V
DRM
4800V
I
T( AV )
1088A
I
TSM
15000A
DVDT *
300V/
µ
s
的di / dt
200A/
µ
s
*更高的dV / dt可用的选项
特点
s
双面冷却
s
高浪涌能力
s
较高的平均电流
s
免费疲劳
电压额定值
类型编号
重复峰值
电压
V
DRM
V
RRM
V
4800
4700
4600
4500
4400
条件
DCR1279SD48
DCR1279SD47
DCR1279SD46
DCR1279SD45
DCR1279SD44
T
vj
= 0˚至125℃ ,
I
DRM
= I
RRM
= 150毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码: D.
参见更多信息封装外形。
较低的电压等级。
电流额定值
T
= 60℃ ,除非另有说明。
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载,
-
-
1088
1709
1574
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
762
1197
1034
A
A
A
1/9