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    DCR1375SBA25 参数 Datasheet PDF下载

    DCR1375SBA25图片预览
    型号： DCR1375SBA25
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 相位控制晶闸管 [Phase Control Thyristor]
    分类和应用： 栅极触发装置可控硅整流器
    文件页数/大小： 9 页 / 776 K
    品牌： DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
     浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DCR1375SBA25的Datasheet PDF文件第9页  
    DCR1375SBA28
    半导体
    动态特性
    符号
    I
    RRM
    /I
    DRM
    dv / dt的
    的di / dt
    参数
    反向峰值和关态电流
    马克斯。断态电压上升率直线
    率通态电流上升
    测试条件
    在V
    RRM
    /V
    DRM
    , T
    例
    = 125° C
    到67 ％的V
    DRM
    , T
    j
    = 125°C ，门打开
    从80 ％的V
    DRM
    门源20V ， 20Ω ，
    t
    r
    <是1.0μs ，T
    j
    = 125° C
    50Hz的重复
    不重复
    分钟。
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    150
    1000
    250
    500
    单位
    mA
    V / μs的
    A / μs的
    A / μs的
    V
    T（ TO ）
    r
    T
    t
    gd
    阈值电压 - 低等级
    通态斜率电阻 - 低级别
    延迟时间
    在T
    vj
    = 125° C
    在T
    vj
    = 125° C
    V
    D
    = 67% V
    DRM
    ，门源30V ， 15Ω
    t
    r
    = 0.5μs的，T
    j
    = 25° C
    -
    -
    -
    1.02
    0.259
    2
    V
    mΩ
    µs
    t
    q
    打开-O FF时间
    I
    T
    = 800A ，T
    p
    = 1毫秒，T
    j
    = 125°C ，V = 50V ，
    R
    的di / dt = 20A / μs的，V
    DR
    = 67% V
    DRM
    dV
    DR
    / DT = 20V / μs的线性
    400
    µs
    Q
    S
    I
    L
    I
    H
    存储电荷
    闭锁电流
    保持电流
    I
    T
    = 800A ，T
    j
    = 125°C ， di / dt的 - 1A / μs的，
    T
    j
    = 25 ° C，V = 5V
    D
    T
    j
    = 25℃ ，R =
    ∞
    克-K
    -
    -
    -
    1500
    500
    260
    µC
    mA
    mA
    4/9
    www.dynexsemi.com

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