DCR2400B85
半导体
100
10
35
30
条件：
TCASE = 125°C
V
R
=0
脉冲宽度= 10毫秒
80
I
2
t
I
TSM
浪涌电流，I
TSM
- （ KA）
25
20
15
10
5
0
1
10
浪涌电流，I
TSM
- （ KA）
8
40
条件：
T
例
= 125°C
V
R
= 0
半正弦波
1
10
4
20
2
0
100
0
100
周期数
图10多周期浪涌电流
脉冲宽度，T
P
- （女士）
图11单周期浪涌电流
40000
35000
Q
SMAX
=
9034*(di/dt)
0.4541
反向恢复电流，I
RR
- (A)
700
600
500
400
I
RRmin
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
率通态电流的di / dt的衰减 - （ A /美国）
率通态电流的di / dt的衰减 - （ A /美国）
= 58.74 * （ di / dt的）
0.7457
条件：
T
j
= 125
o
C，V
Rpeak
~ 5100V
V
RM
~ 3400V
缓冲适当控制
反向电压
I
RRmax
= 70.17 * （ di / dt的）
0.7238
存储电荷，Q
S
- （ UC）
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
Q
SMIN
=
6203*(di/dt)
条件：
T
j
= 125 C ，V
Rpeak
~ 5100V
V
RM
~ 3400V
缓冲适当控制
反向电压
o
0.4968
图12存储电荷
图13反向恢复电流
我T（ MA S）
60
6
2
2
7/10
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