DIM200PHM33-F000
DIM200PHM33-F000
半桥IGBT模块
取代2003年6月版，发行PDS5606-2.1
2004年PDS5606-3.1月
特点
I
I
I
I
主要参数
V
CES
V
CE （ SAT ）
*
I
C
I
C（ PK ）
（典型值）
（最大）
（最大）
3300V
2.8V
200A
400A
软穿通硅
10μs的短路承受
与氮化铝衬底隔离MMC基地
高的热循环能力
*测得辅助终端。
应用
I
I
I
1(E1/C2)
2(C1)
5(E
1)
4(G
1)
3(E2)
7(E
2)
6(G
2)
高可靠性逆变器
电机控制器
牵引辅助
高功率模块的电力线产品包括半
桥，斩波器，双，单，双向开关
配置涵盖了从600V电压3300V及
电流高达3600A 。
该DIM200PHM33 - F000是一种半桥3300V软穿
通过中，n沟道增强型，绝缘栅双极型
晶体管（IGBT）模块。在IGBT具有宽反向偏压安全
工作区（ RBSOA ），加上全10μs的短路耐受。
此装置被用于牵引传动装置和其它应用进行了优化
要求高的热循环能力。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地的散热片以保证安全。
8(C
1)
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号：
DIM200PHM33-F000
注：订货时请使用整个零件编号。
大纲类型代码：
P
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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