DIM200MHS17-A000
DIM200MHS17-A000
半桥IGBT模块
替换的问题2002年2月,版本DS5459-3.0
2002年DS5459-4.0三月
特点
s
s
s
10μs的短路承受
非穿通硅
孤立的铜基
主要参数
V
CES
(典型值)
V
CE ( SAT )
*
(最大)
I
C
(最大)
I
C( PK )
1700V
2.7V
200A
400A
* (测得的功率母线和没有辅助端子)
应用
s
s
s
逆变器
电机控制器
11(C
2
)
6(G
2
)
7(E
2
)
3(C1)
牵引驱动
1(E1C2)
2(E2)
模块的电力线的范围,包括半桥
斩波器,双核和单开关配置包括电压
从600V到3300V及电流高达2400A 。
该DIM200MHS17 - A000是一种半桥1700V , N沟道
增强模式中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
( RBSOA )加满10μs的短路耐受。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局,利用接地的散热片以保证安全。
9(C
1
)
5(E
1
)
4(G
1
)
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号:
DIM200MHS17-A000
注:订货时请使用整个零件编号。
11
10
8
9
1
2
3
6
7
5
4
大纲类型代码:
M
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 2电气连接 - (不按比例)
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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