DIM800DDM12-A000
DIM800DDM12-A000
双路开关IGBT模块
初步信息
2002年DS5528-1.1三月
特点
s
s
s
s
10μs的短路承受
高的热循环能力
非穿通硅
与氮化铝衬底隔离MMC基地
主要参数
V
CES
（典型值）
V
CE （ SAT ）
*
（最大）
I
C
（最大）
I
C（ PK ）
1200V
2.2V
800A
1600A
* （测得的功率母线和没有辅助端子）
应用
s
s
s
逆变器
电机控制器
牵引驱动
5(E
1
)
1(E1)
2(C2)
12(C
2
)
6(G
1
)
11(G
2
)
模块的电力线的范围，包括半桥，双
单交换机配置涵盖电压从600V到
3300V及电流高达2400A 。
该DIM800DDM12 - A000是一款双开关1200V ， N沟道
增强模式中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
（ RBSOA ）加满10μs的短路耐受。这个模块是
优化的应用程序需要很高的热循环能力。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局，利用接地的散热片以保证安全。
7(C
1
)
3(C1)
10(E
2
)
4(E2)
图。 1双开关电路图
5
6
3
1
订购信息
订单号：
DIM800DDM12-A000
注：订货时请使用整个零件编号。
7
8
9
12
11
10
4
2
大纲类型代码：
D
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2电气连接 - （不按比例）
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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