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    DIM800FSM17-A000 参数 Datasheet PDF下载

    DIM800FSM17-A000图片预览
    型号： DIM800FSM17-A000
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单开关IGBT模块的初步信息 [Single Switch IGBT Module Preliminary Information]
    分类和应用： 晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 146 K
    品牌： DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
     浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DIM800FSM17-A000的Datasheet PDF文件第9页  
    DIM800FSM17-A000
    电气特性
    T
    例
    = 25℃ ，除非另有说明。
    符号
    I
    CES
    参数
    集电极截止电流
    测试条件
    V
    GE
    = 0V, V
    CE
    = V
    CES
    V
    GE
    = 0V, V
    CE
    = V
    CES
    , T
    例
    = 125˚C
    I
    GES
    V
    GE （日）
    V
    CE （SAT） †
    栅极漏电流
    栅极阈值电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    GE
    =
    ±20V,
    V
    CE
    = 0V
    I
    C
    = 40毫安，V
    GE
    = V
    CE
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 800A
    V
    GE
    = 15V ，我
    C
    = 800A ， ，T
    例
    = 125˚C
    I
    F
    I
    FM
    V
    F†
    二极管的正向电流
    二极管的最大正向电流
    二极管的正向电压
    DC
    t
    p
    为1ms
    I
    F
    = 800A
    I
    F
    = 800A ，T
    例
    = 125˚C
    C
    IES
    L
    M
    R
    INT
    SC
    数据
    输入电容
    模电感
    内部晶体管的电阻
    短路。我
    SC
    V
    CE
    = 25V, V
    GE
    = 0V ， F = 1MHz的
    -
    -
    T
    j
    = 125°C ，V
    CC
    = 1000V,
    t
    p
    ≤
    为10μs ，V
    CE （最大）
    = V
    CES
    - L * 。的di / dt
    IEC 60747-9
    注意：
    †
    测量在功率母线和没有辅助端子）
    * L是线路电感+ L
    M
    I
    1
    I
    2
    分钟。
    -
    -
    -
    4.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    5.5
    2.7
    3.4
    -
    -
    2.2
    2.3
    60
    20
    0.27
    3700
    3200
    马克斯。
    1
    25
    4
    6.5
    3.2
    4.0
    800
    1600
    2.5
    2.6
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    mA
    mA
    µA
    V
    V
    V
    A
    A
    V
    V
    nF
    nH
    mΩ
    A
    A
    4/10
    注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
    www.dynexsemi.com

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