GP200MHS12
GP200MHS12
半桥IGBT模块
取代GP200MHB12S 1999年1月版, DS4339-5.5
2000 DS5296-1.5月
特点
s
s
s
非穿通硅
孤立的铜基板
低电感内部结构
主要参数
V
CES
(典型值)
V
CE ( SAT )
(最大)
I
C
(最大)
I
C( PK )
1200V
2.7V
200A
400A
应用
s
s
s
s
大功率逆变器
电机控制器
感应加热
谐振转换器
11(C
2
)
1(E
1
C
2
)
2(E
2
)
6(G
2
)
7(E
2
)
3(C
1
)
5(E
1
)
4(G
1
)
9(C
1
)
高功率模块的电力线产品包括半
桥和单交换机配置涵盖从电压
600V至3300V及电流高达4800A 。
该GP200MHS12是一个半桥1200V , N沟道
增强模式中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
模块。在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
( RBSOA ) ,确保在苛刻的应用程序的可靠性。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局,利用接地散热片的安全性。
图。 1半桥电路图
订购信息
订单号:
GP200MHS12
注:订货时请使用整个零件编号。
8
9
5
4
11
10
1
2
3
6
7
大纲类型代码:
M
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 2电气连接 - (不按比例)
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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