GP200MHS18 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GP200MHS18
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内容描述：	半桥IGBT模块 [Half Bridge IGBT Module]
分类和应用：	双极性晶体管
文件页数/大小：	10 页 / 138 K
品牌：	DYNEX [ Dynex Semiconductor ]

GP200MHS18

400

350

= 25˚C

300

FOWARD目前，我

- (A)

集电极电流，I

- (A)

500

450

400

350

300

250

200

150

100

例

= 125˚C

±15V

克（分）

= 5Ω

克（分）

：推荐的最小值

250

= 125˚C

200

150

100

0.5

2.0

1.0

1.5

2.5

FOWARD电压，V

- (V)

3.0

3.5

1200

400

800

1600

集电极 - 发射极电压，V

- (V)

2000

图。 11二极管的典型正向特性

图。 12反向偏压安全工作区

1000

最大。（单脉冲）

1000

瞬态热阻抗，Z

日（J -C ）

- （ ° C /千瓦）

100

集电极电流，I

- (A)

二极管

100

晶体管

50µs

TIN

100µs

为1ms

0.1

100

1000

集电极 - 发射极电压，V

- (V)

10000

100

脉冲宽度，T

- （女士）

1000

10000

图。 13正向偏置安全工作区

图。 11瞬态热阻抗

注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。

7/10

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