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GP250MHB06S 参数 Datasheet PDF下载

GP250MHB06S图片预览
型号: GP250MHB06S
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内容描述: 半桥IGBT模块 [Half Bridge IGBT Module]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 10 页 / 130 K
品牌: DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
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GP250MHB06S
GP250MHB06S
半桥IGBT模块
取代2000年1月版, DS4325 - 5.0
2001年DS4325-6.0十月
特点
s
s
s
s
主要参数
V
CES
V
CE ( SAT )
I
C25
I
C75
I
C( PK )
(典型值)
600V
2.2V
(最大) 350A
(最大) 250A
(最大) 700A
N - 通道
高开关速度
低正向压降
隔离底座
应用
s
s
PWM电机CONTRO
l
UPS
11(C
2
)
1(E
1
C
2
)
2(E
2
)
6(G
2
)
7(E
2
)
3(C
1
)
5(E
1
)
4(G
1
)
模块的电力线的范围,包括半桥
斩波器,双核和单开关配置包括电压
从600V到3300V及电流高达2400A 。
该GP250MHB06S是半桥600V N沟道
增强型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
模块。该模块适用于各种介质的电压
应用在电机驱动器和功率转换。
在IGBT具有广泛的反向偏压安全工作区
( RBSOA ),用于要求苛刻的应用最终的可靠性。
这些模块整合电绝缘底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局,利用接地散热片的安全性。
典型应用包括直流马达驱动器, PWM交流
drivesand UPS系统。
9(C
1
)
图。 1半桥电路图
11
10
1
2
3
6
7
5
4
订购信息
订单号:
GP250MHB06S
注:订货时,使用完整的零件号。
8
9
大纲类型代码:
M
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 2电气连接 - (不按比例)
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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