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GP401DDM18 参数 Datasheet PDF下载

GP401DDM18图片预览
型号: GP401DDM18
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内容描述: 嗨,可靠性双机切换低VCE ( SAT) IGBT模块的高级信息 [Hi-Reliability Dual Switch Low VCE(SAT) IGBT Module Advance Information]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 98 K
品牌: DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
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GP401DDM18
电气特性
T
= 25℃ ,除非另有说明。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
测试条件
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
= 125˚C
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
栅极漏电流
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
GE
= V
CE
V
GE
= 15V ,我
C
= 400A
V
GE
= 15V ,我
C
= 400A , ,T
= 125˚C
I
F
I
FM
V
F
二极管的正向电流
二极管的最大正向电流
二极管的正向电压
DC
t
p
为1ms
I
F
= 400A
I
F
= 400A ,T
= 125˚C
C
IES
L
M
输入电容
模电感
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V , F = 1MHz的
-
分钟。
-
-
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
5.5
2.6
3.3
-
-
2.2
2.3
45
20
马克斯。
1
12
2
6.5
3.2
4
400
800
2.5
2.6
-
-
单位
mA
mA
µA
V
V
V
A
A
V
V
nF
nH
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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