GP401DDS18
GP401DDS18
低V
CE ( SAT )
双路开关IGBT模块
初步信息
2001年DS5272-3.0一月
特点
s
s
s
s
低V
CE ( SAT )
非穿通硅
孤立的铜基板
低电感内部结构
主要参数
V
CES
(典型值)
V
CE ( SAT )
(最大)
I
C
(最大)
I
C( PK )
1800V
2.6V
400A
800A
应用
s
s
s
s
高可靠性逆变器
电机控制器
12(C
2
)
2(C
2
)
4(E
2
)
1(E
1
)
7(C
1
)
11(G
2
)
10(E
2
)
3(C
1
)
5(E
1
)
6(G
1
)
牵引驱动
谐振转换器
高功率模块的电力线系列包括双
单交换机配置涵盖电压从600V到
3300V及电流高达4800A 。
该GP401DDS18是双开关1800V , N沟道
增强模式中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
模块。低V设计
CE ( SAT )
最大限度地减少传导
损失,该模块是特别相关的中低
频率的应用。在IGBT具有宽反向偏压安全
工作区( RBSOA ) ,确保可靠性要求很高
应用程序。
该模块集成了电气隔离底板
和低电感建设使电路设计师
优化电路布局,利用接地散热片的安全性。
图。 1双开关电路图
5
6
3
7
8
1
订购信息
订单号:
GP401DDS18
注:订货时请使用整个零件编号。
9
12
11
10
4
2
大纲类型代码:
D
(见包的详细信息以获取更多信息)
图。 2电气连接 - (不按比例)
注意:此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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