MA5114 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MA5114
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内容描述：	辐射硬1024x4位的静态RAM [Radiation hard 1024x4 Bit Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	12 页 / 117 K
品牌：	DYNEX [ Dynex Semiconductor ]

MA5114

辐射硬1024x4位的静态RAM

取代1999年6月版， DS3591-4.0

2000 DS3591-5.0一月

的MA5114 4k的静态RAM构成为1024× 4比特和

采用CMOS - SOS高性能，辐射硬制造，

3μm的技术。

本设计采用了6晶体管单元，并具有完全静态操作

没有时钟或定时选通需要。地址输入缓冲器被取消

当片选在HIGH状态。

操作模式

读

写

待机

I / O

D OUT

d。在

高Z

ISB2

动力

ISB1

特点

3微米的CMOS工艺SOS

闭锁免费

快速存取时间为90ns的典型

总剂量10

Rad公司（SI ）

瞬时翻转>10

Rad公司（SI ） /秒

SEU <10

-10

错误/ bitday

单5V电源

三态输出

低待机电流50μA典型

-55 ° C至+ 125°C操作

所有输入和输出完全TTL或CMOS

兼容

全静态操作

在2V电源数据保留

图1 ：真值表

图2 ：框图

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