MP03 XXX 300系列
浪涌额定值 - 每个ARM
符号
参数
条件
马克斯。
单位
I
FSM
浪涌（非重复）通态电流
V =0
10ms的半正弦;
R
T
j
= 125˚C
V
R
= 50% V
RRM
10ms的半正弦;
T
j
= 125˚C
V
R
= 0
V
R
= 50% V
RRM
10.6
8.5
0.56 x 10
6
0.36 x 10
6
kA
kA
A
2
s
A
2
s
I
2
t
I
2
吨融合
热&机械额定值
符号
参数
条件
马克斯。
单位
o
dc
R
日（J -C ）
热阻 - 结到管壳
每个晶闸管或二极管
半波
3相
R
TH（ C- HS ）
T
vj
T
英镑
V
ISOL
热电阻 - 案件散热器
每个晶闸管或二极管
虚拟结温
存储温度范围
隔离电压
Commoned终端底板
AC RMS ， 1分钟，50赫兹
安装扭矩= 5Nm的
与安装复合
关闭状态（阻塞）
0.11
0.12
0.13
0.05
125
-40至125
2.5
C / W
o
C / W
C / W
C / W
o
o
o
C
o
C
kV
动态特征 - 晶闸管
符号
参数
条件
马克斯。
单位
V
TM
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
V
T（ TO ）
r
T
通态电压
反向峰值和关态电流
断态电压上升率直线
在1000A ，T
例
= 25
o
Ç - 见注1
在V
RRM
/V
DRM
, T
j
= 125
o
C
到67 ％的V
DRM
T
j
= 125
o
C
从67 ％V
DRM
以600A
门源10V ， 5Ω
上升时间0.5μs的，T
j
=125
o
C
在T
vj
= 125
o
Ç - 见注1
在T
vj
= 125
o
Ç - 见注1
1.50
30
200*
V
mA
V / μs的
率通态电流上升
阈值电压
通态斜率电阻
100
0.8
0.7
A / μs的
V
mΩ
*更高的dV / dt值可用，请联络厂方的特殊要求。
注1：在此数据表中给定的相对于正向电压降中的数据是在电力消耗计算
只有半导体元件。在模块的电源端子测量正向电压降将超过这些
图中，由于从所述终端向所述半导体母线的阻抗。
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DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
