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T630 参数 Datasheet PDF下载

T630图片预览
型号: T630
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内容描述: 辐射硬16位ParallelError检测与校正 [Radiation hard 16-Bit ParallelError Detection & Correction]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 95 K
品牌: DYNEX [ Dynex Semiconductor ]
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54HSC/T630
54HSC/T630
辐射硬16位ParallelError
检测&修正
取代1999年6月版, DS3595-4.0
2000 DS3595-5.0一月
该54HSC / T630是一款16位的并行错误检测和
校正电路。它使用一个修改的汉明码来
生成从每个16位数据字中的6位校验字。该
在存储器写入校验字被存储在数据字
周期。在一存储器读出周期中的22位字是从
存储器,并检查是否有错误。
在数据字的单比特错误标记和纠正。
在检查话单比特错误标记,但没有得到纠正。
不正确的位的位置被精确定位,在这两种情况下,由
6比特的错误校正子码是错误的过程中输出
校正周期。
有两个标志位错误,但不能纠正。任何
产生的22位字中的两个比特错误的组合
从存储器中读出(即在16位数据字的两个差错,二
在16位的检查字,或在每一个错误位)将
正确识别。
所有位,低或高的粗差,将被检测到。
控制信号S1和S0选择功能是
由EDAC执行他们控制检查的一代
字和闩锁和校正数据(见表1)
当检测到错误,国旗被放置在输出海基会
和DEF (见表2)。
图1 :框图
特点
s
辐射硬:
剂量率超出底价3×10
10
Rad公司(SI ) /秒
总剂量为功能性高达1×10
6
Rad公司(SI )
s
高SEU免疫,闭锁免费
s
CMOS - SOS技术
s
所有输入和输出完全兼容TTL ( 54HST630 )
或CMOS兼容( 54HSC630 )
s
低功耗
s
检测并纠正单比特错误
s
检测和标志的双位错误
s
高速:
写周期 - 生成校验码在40ns的典型
读周期 - 标志错误在20ns的典型
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