RTD30 参数 Datasheet PDF下载

型号：	RTD30
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内容描述：	百毫安硅盒RECTIFIERS [100mA SILICON CARTRIDGE RECTIFIERS]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 48 K
品牌：	EDI [ ELECTRONIC DEVICES INC. ]

BCD

RTD

百毫安硅盒RECTIFIERS

小尺寸的模压封装

PRV 8000到60000伏

快速恢复（ RTD系列）

低漏

EDI类型

数

PEAK

Reve酒店RSE V olta GE

PRV （V OLTS ）

马克斯。正向电压

滴，在25℃和100mA

（卷TS ）

冷日L

图。 3

BC D08

BC D10

BC D12

BC D15

BC D20

BC D25

BC D30

BC D35

BC D40

BC D45

BC D50

BC D60

RTD08

RTD10

RTD12

RTD15

RTD20

RTD25

RTD30

RTD35

RTD40

RTD45

RTD50

RTD60

标准恢复

8, 000

10,0 00

12,0 00

15,0 00

20,0 00

25,000

30,0 00

35,0 00

40,0 00

45,0 00

50,0 00

60,0 00

200 -n的OSE有限公司ND ř EC OVE RY （F IG 0.4 ）

8, 000

10,0 00

12,0 00

15,0 00

20,0 00

25,0 00

30,0 00

35,0 00

40,0 00

45,0 00

50,0 00

100

60,0 00

110

BCD系列

标准

恢复

1. 00

1. 63

2. 13

2. 63

3. 13

3. 63

4. 13

4. 63

5. 13

6. 13

1. 00

1. 63

2. 13

2. 63

3. 13

3. 63

4. 13

4. 63

5. 13

6.13

RTD系列

快

恢复

电气特性

（在T

= 25℃ ，除非另有规定）

马克斯。 DC反向电流@ PRV和25℃ ，我

电气特性

（在T

= 25℃ ，除非另有规定）

马克斯。 DC反向电流@ PRV和25℃ ，我

100

马克斯。 DC反向电流@ PRV和100 C，I

工作环境温度范围，T

马克斯。 DC反向电流@ PRV和100 C，I

100

-55

C至+ 125

-55

C至+150

10安培

3安培

马克斯。反向恢复时间，T

(Fig.4)

200纳秒

-55

C至+ 125

-55

C至+150

10安培

3安培

存储温度范围，T

英镑

Max.One半个周期浪涌电流，I

（浪涌） @ 60Hz的

正向电流重复峰值，我

FRM

工作环境温度范围，T

存储温度范围，T

英镑

Max.One半个周期浪涌电流，I

（浪涌） @ 60Hz的

正向电流重复峰值，我

FRM

EDI保留随时修改这些参数，恕不另行通知。

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