1N4001G - 1N4007G
BY133G
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 1.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
玻璃钝化结
矽整流器
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据：
*案例： DO- 41模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.339克
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度大= 75
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
1N
1N
1N
1N
1N
1N
1N
BY
4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G 133G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1300
910
1300
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
伏
伏
伏
安培。
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
30
1.0
5.0
50
8
45
- 65〜 + 175
- 65〜 + 175
安培。
伏
µA
µA
pF
° C / W
°C
°C
典型结电容（注1）
典型热阻（注2 ）
结温范围
存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0Vdc反向电压
（ 2 ）从结点到环境的热阻为0.375"设计（9.5mm ）引线长度，PC板装。
更新： 1998年5月27日
EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
