1N5366B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N5366B
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内容描述：	硅稳压二极管 [SILICON ZENER DIODES]
分类和应用：	稳压二极管齐纳二极管测试IOT
文件页数/大小：	3 页 / 70 K
品牌：	EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]

TH97/2478

TH09/2479

IATF 0060636

SGS TH07 / 1033

1N5338B - 1N5388B

： 5.1 - 200伏

： 5瓦

产品特点：

*完整的电压范围5.1到200伏

*高反向峰值功耗

*高可靠性

*低漏电流

*无铅/符合RoHS免费

硅稳压二极管

DO-15

0.142 (3.6)

0.102 (2.6)

1.00 (25.4)

分钟。

0.300 (7.6)

0.230 (5.8)

机械数据：

*案例： DO - 15模压塑料

*环氧： UL94V- 0率阻燃

*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，

方法208保证

*极性：颜色频带端为负极

*安装位置：任意

*重量： 0.4克

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

1.00 (25.4)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值

等级25

除非另有说明C的环境温度

等级

在T DC功耗

= 75

°C

(Note1)

最大正向电压在我

= 1 A

最大热阻结到环境空气（注2 ）

结温范围

存储温度范围

注意：

(1) T

=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）

图。 1功耗温度降额曲线

100

125

150

TL ，焊接温度（ ° C）

175

符号

RΘJA

价值

5.0

1.2

- 65至+ 200

单位

K / W

°C

图。 2典型热阻

结到铅热

电阻（ C° / W）

，最大耗散

（瓦特）

L = 8"分之3设计（9.5mm ）

200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

引线长度到散热器（ INCH ）

第1页3

启示录10 ： 2010年3月9日

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