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1N5368B 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N5368B
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内容描述: 硅稳压二极管 [SILICON ZENER DIODES]
分类和应用: 稳压二极管
文件页数/大小: 3 页 / 54 K
品牌: EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
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证书: TH97 / 10561QM
证书:
TW00/17276EM
1N5333B - 1N5388B
V
Z
: 3.3 - 200伏
P
D
: 5瓦
产品特点:
*完整的电压范围3.3到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
硅稳压二极管
D2A
0.161 (4.1)
0.154 (3.9)
1.00 (25.4)
分钟。
0.284 (7.2)
0.268 (6.8)
机械数据
*案例: D2A模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 0.645克
0.040 (1.02)
0.0385 (0.98)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 75
°C
(Note1)
最大正向电压在我
F
= 1 A
结温范围
存储温度范围
注意:
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计(9.5mm )
符号
P
D
V
F
T
J
Ts
价值
5.0
1.2
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
W
V
°C
°C
图。 1功耗温度降额曲线
5
P
D
,最大耗散
(瓦特)
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
L = 8"分之3设计(9.5mm )
T
L
,焊接温度( ° C)
第1页3
启示录07 : 2007年3月16日