证书TH97 / 10561QM
证书TW00 / 17276EM
BAS19,BAS20,BAS21
PRV ： 120 - 250伏
I
O
： 200毫安
产品特点：
*小型塑料SMD封装
*开关速度：最大。 50纳秒
*通用应用程序
*连续反向电压：最大。 100V ， 150V ， 200V
*重复峰值反向电压：最大。 120V ， 200V ， 250V
*无铅/符合RoHS免费
高压
开关二极管
SOT-23
1.40
0.95
0.50
0.35
0.19
0.08
1
3.10
2.70
1.65
1.20
3.0
2.2
1.02
0.89
3
2
0.100
0.013
2.04
1.78
3
机械数据：
*案例：
* BAS19
* BAS20
* BAS21
SOT- 23塑料外壳
标识代码： HA
标识代码： HB
标识代码：慧聪
1
2
底部视图
单位：毫米
最大额定值和热特性
参数
最大重复峰值反向电压
最大连续反向电压
最大连续正向电流（注1 ）
最大非重复性峰值正向电流
（方波; TJ = 25℃之前，浪涌）
总功率耗散（注1 ）
热阻结绑点
热阻结到环境
结温范围
存储温度范围
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
符号
V
RRM
V
R
I
F
T = 1微秒
T = 100微秒
T = 10毫秒
I
FSM
P
合计
R
日J- TP
R
日J-一
T
J
T
英镑
（ TJ = 25 ° C除非另有规定。
BAS19
120
100
BAS20
200
150
200
9
3
1.7
250
330
500
150
-65到+150
BAS21
250
200
单位
V
V
mA
A
mW
K / W
K / W
°C
°C
电气特性
参数
正向电压
反向电流
电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= V
RMAX
V
R
= V
RMAX
， TJ = 150℃
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= 30 mA至我
R
= 30mA时
R
L
=100
Ω ，测量
在我
R
-3毫安
符号
V
F
I
R
C
D
TRR
BAS19
BAS20
1.00
1.25
100
100
5
50
BAS21
单位
V
nA
µA
pF
ns
注意：
（1）设备安装在一FR4印刷电路板。
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启示录01 ： 2006年5月22日
EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
