BZX55C8V2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BZX55C8V2
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内容描述：	硅稳压二极管 [SILICON ZENER DIODES]
分类和应用：	稳压二极管齐纳二极管测试
文件页数/大小：	2 页 / 31 K
品牌：	EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]

BZX55C2V4 〜 BZX55C200

： 2.4 - 200伏

： 500毫瓦

硅稳压二极管

DO - 35

1.00 (25.4)

分钟。

0.079 （2.0）最大。

产品特点：

完整的2.4至200伏

高浪涌电流能力

高反向峰值功耗

高可靠性

低漏电流

0.150 (3.8)

马克斯。

0.020 （0.52）最大。

1.00 (25.4)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

机械数据

*案例：模压玻璃

*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，

方法208保证

*极性：颜色频带端为负极。当齐纳二极管模式中操作，

阴极将是积极的方面阳极

*安装位置：任意

*重量： 0.13克

最大额定值

等级25

除非另有说明C的环境温度

等级

功耗（注）

最大正向电压在我

-100毫安

最大热阻结到环境空气（注1）

结温范围

存储温度范围

符号

价值

500

1.0

0.3

- 55〜 + 175

单位

K /毫瓦

记

1.有效的规定，引线被保持在环境温度下，以从壳体8毫米的距离。

更新： 2002年1月18日

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