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BZX85C10 参数 Datasheet PDF下载

BZX85C10图片预览
型号: BZX85C10
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内容描述: 硅稳压二极管 [SILICON ZENER DIODES]
分类和应用: 稳压二极管齐纳二极管测试高压
文件页数/大小: 3 页 / 28 K
品牌: EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
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BZX85C系列
V
Z
: 2.4 - 200伏
P
D
: 1.3瓦
产品特点:
*完整的电压范围2.7到200伏
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
硅稳压二极管
DO - 41
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
1.00 (25.4)
分钟。
0.205 (5.2)
0.166 (4.2)
机械数据
*案例: DO- 41模压塑料
*环氧: UL94V -O率阻燃
*铅:轴向引线每MIL -STD- 202焊接的,
方法208保证
*极性:颜色频带端为负极
*安装位置:任意
*重量: 0.339克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
在T DC功耗
L
= 50
°
C(注1)
最大正向电压在我
F
= 200毫安
最大热阻结到环境空气(注2 )
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
J
Ts
价值
1.3
1.0
130
- 55〜 + 175
- 55〜 + 175
单位
K / W
°
C
°
C
注意:
(1) T
L
=铅温度从身体3/8 "设计(9.5mm )
(2)有效的规定,引线被保持在环境温度下,以10mm的情况下的距离。
图。 1功耗温度降额曲线
1.5
P
D
,最大耗散
(瓦特)
L = 8"分之3设计(9.5mm )
1.2
0.9
0.6
0.3
0
25
T
L,
50
75
100
125
焊接温度(
°
C)
150
175
更新: 2000年9月9日