DL200 - DL210
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 2.0安培
产品特点：
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*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
硅整流二极管
D2
0.161 (4.10)
0.154 (3.90)
1.00 (25.4)
分钟。
0.284 (7.20)
0.268 (6.84)
机械数据：
·案例： D2模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.465克
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度大= 50
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 2.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型热阻（注2 ）
结温范围
存储温度范围
注意事项：
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
DL201 DL202 DL203 DL204 DL205 DL206 DL207
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
75
1.0
5.0
50
75
20
- 65〜 + 175
- 65〜 + 175
A
V
µA
µA
pF
° C / W
°C
°C
典型结电容（注1）
（ 1 ）测得1.0 MHz和应用4.0V的反向电压
DC
（ 2 ）从结点到环境的热阻为0.375"设计（9.5mm ）引线长度，PC板装。
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启示录02 ： 2005年3月25日
EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
