GF1A - GF1M
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 1.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
玻璃钝化芯片
高电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
无铅/符合RoHS免费
玻璃钝化结
硅表面贴装
SMA （ DO- 214AC ）
1.1
±
0.3
5.0
±
0.15
4.5
±
0.15
1.2
±
0.2
2.6
±
0.15
2.1
±
0.2
0.2
±
0.07
2.0
±
0.2
机械数据：
*
*
*
*
*
*
案例： SMA模压塑料
环氧树脂： UL94V -O率阻燃
铅：铅形成了表面贴装
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量： 0.067克
尺寸以毫米
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有specifie 。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载
对于容性负载，减免电流20 ％
等级
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流TA = 75
°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 1.0安培。
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
GF1A GF1B GF1D GF1G GF1J GF1K GF1M
单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
TRR
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
30
1.0
5.0
50
2.0
8
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
μA
μs
pF
°C
°C
典型的反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
结温范围
存储温度范围
注意事项：
C
J
T
J
T
英镑
- 65至+ 150
- 65至+ 150
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A， IRR = 0.25 A.
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用4.0 V反向电压
DC
第1页2
启示录03 ：二零零五年十月十四日
EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
