SB320 - SB3B0
PRV ： 20 - 100伏
I
O
： 3.0安培
产品特点：
*
*
*
*
*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
高效率
低功耗
低正向压降
肖特基势垒
整流二极管
DO-201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.82)
1.00 (25.4)
分钟。
0.375 (9.52)
0.285 (7.24)
机械数据：
*案例： DO - 201AD模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 1.21克
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
等级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375" ， 9.5毫米引线长度见图1
峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在我
F
= 3.0安培。
最大反向电流
额定阻断电压DC （注1 ）
结温范围
存储温度范围
TA = 25
°C
TA = 100
°C
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
SB SB SB SB SB SB SB SB SB
单位
320 330 340 350 360 370 380 390 3B0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
60
42
60
70
49
70
80
56
80
90
63
90
100
70
100
伏
伏
伏
I
F（ AV
)
3.0
安培。
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
T
J
T
英镑
- 65至+ 125
0.5
80
0.74
0.5
20
- 65至+ 150
- 65至+ 150
0.79
安培。
伏。
mA
mA
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300
µs,
占空比= 2 ％
更新： 1998年9月12日
EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
