SF51 - SF59
PRV ： 50 - 1000伏
IO： 5.0安培
产品特点：
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*
*
高电流能力
高浪涌电流能力
高可靠性
低反向电流
低正向压降
超快速恢复时间
超快速整流二极管
DO-201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.82)
1.00 (25.4)
分钟。
0.375 (9.52)
0.285 (7.24)
机械数据：
*案例： DO - 201AD模压塑料
*环氧： UL94V -O率阻燃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 1.21克
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
等级25
°
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
最大额定值和电气特性
等级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均正向电流
0.375"设计（9.5mm ）引线长度
峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大峰值正向电压在我
F
= 5.0 A.
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
TA = 25
°C
TA = 100
°C
TA = 55
°C
SYMBOL SF51 SF52 SF53 SF54 SF55 SF56 SF57 SF58 SF59单位
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
300
210
300
5.0
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
伏
伏
伏
安培。
I
FSM
V
F
I
R
I
R（高）
TRR
135
0.95
5
50
35
50
- 65至+ 150
- 65至+ 150
1.4
1.7
安培。
伏
µA
µA
ns
pf
°C
°C
最大反向恢复时间（注1 ）
典型结电容（注2 ）
结温范围
存储温度范围
C
J
T
J
T
英镑
注意事项：
（ 1 ）反向恢复测试条件：我
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A， IRR = 0.25 A.
（ 2 ）测得1.0 MHz和应用4.0 V反向电压
DC
更新： 1998年4月23日
EIC [ EIC DISCRETE SEMICONDUCTORS ]
