EL2125C - 初步
EL2125C - 初步
超低噪声，低功耗，宽带放大器
绝对最大额定值
(T
V
S
+到V
S
-
连续输出电流
任何输入
A
= 25°C)
33V
40mA
V
S
- - 0.3V至V
S
+ + 0.3V
功耗
工作温度
储存温度
看到曲线
-45 ° C至+ 85°C
-60 ° C至+ 150°C
重要注意事项：
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都在
规定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
电气特性
V
S
= ± 5V ，T
A
= 25 ° C，R
F
= 180Ω, R
G
= 20Ω, R
L
= 500Ω ，除非另有规定。
参数
直流性能
V
OS
T
CVOS
I
B
I
OS
T
兴业银行
C
IN
A
VOL
PSRR
CMRR
CMIR
V
OUT
V
OUTL
I
OUT
I
S
BW
BW ± 0.1分贝
BW ±1dB的
高峰
SR
OS
T
S
V
N
I
N
HD2
HD3
THD
IMD
1.
2.
3.
4.
5.
6.
输入失调电压（ SO8 & PDIP8 ）
输入失调电压（ SOT23-5 ）
失调电压温度系数
输入偏置电流
输入偏置电流失调
输入偏置电流温度系数
输入电容
开环增益
电源抑制比
共模输入范围
输出电压摆幅
输出电压摆幅
输出短路电流
电源电流
-3dB带宽
± 0.1分贝带宽
±1dB的带宽
高峰
压摆率
过冲， 4Vpk - PK的输出方波
建立时间± 1V脉冲0.1 ％
电压噪声谱密度
电流噪声频谱密度
二阶谐波失真
3次谐波失真
[4]
[4]
[5]
[6]
[3]
[1]
[2]
描述
条件
民
典型值
-0.2
待定
最大
2
3
单位
mV
mV
μV/°C
µA
-30
-21
0.2
待定
2.2
1
µA
NA / ℃，
pF
dB
dB
dB
V
V
V
mA
65
75
65
无负载，R
F
= 1kΩ
R
L
= 100Ω
3.5
2.8
80
81
96
100
3.8
3.1
100
10.1
175
34
150
0.4
12
共模抑制比
mA
兆赫
兆赫
兆赫
dB
V / μs的
%
%
AC性能 - R的
G
= 20Ω, C
L
= 5pF的
V
OUT
= 2V
PP
测得在20 ％至80％
积极
负
待定
0.6
2.7
190
待定
0.83
2.4
待定
待定
待定
待定
ns
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dBc的
dBc的
dBc的
%
总谐波失真
互调失真
通过测量从± 4V至± 6V移动电源
测量通过移动输入在+ 3.5V至-4.4V
只有脉冲测试
频率= 10MHz时，V
OUT
= 1Vpk -PK ，为100Ω和5pF的负载
频率= 20MHz时， V
OUT
= -20dBm （ 0.0274V
RMS
）为500Ω和15pF的负载
双音IMD ，频率= 5MHz时的6MHz ，并在-20dBm的输出电平，R
负载
= 500Ω和15pF的
2
ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
