EL2210C / 11C ， EL2310C / 11C ， EL2410C / 11C
EL2210C / 11C ， EL2310C / 11C ， EL2410C / 11C
低成本，双，三和四通道视频运算放大器
EL2211C 。总的双放大器的功耗
将是146mW + 240MW = 386mW ，比更
最大361mW允许的。如果总供给differ-
ENCE减少到10V ，相同的计算会
产量200mW的静态功耗和120MW
由于装载。这导致的模具温度
143°C (85°C + 58°C).
在上面的例子中，如果用品被分裂± 6V和
在150Ω的负载被连接到地时，负载
感应功耗将下降到66.7mW
（ 6.67毫安* （6 - 1） * 2）和模具温度将是
低于额定最大值。
印刷电路板布局
该EL2210C / EL2211C / EL2310C / EL2311C /
EL2410C / EL2411C都很乖，并且易于应用
在大多数应用中。然而，一些简单的技巧
将有助于确保快速，高质量的结果。与任何
高频设备，良好的PCB布局是必要的
为获得最佳性能。地平面施工
强烈推荐，因为好电源bypass-
ING 。一个0.1μF的陶瓷电容推荐
绕过两个电源。引线长度应尽可能短
尽可能和旁路电容应尽量靠近
该器件引脚越好。为了获得良好的AC性能，
寄生电容应保持在最低限度，在
两个输入端和输出端。电阻值应为
5kΩ的下不停，因为RC时间常数associ-
ated与寄生电容。金属膜和
碳电阻都是可以接受的，采用绕线的
电阻不建议，因为他们的寄生
电感。同样，电容应该是低电感
tance以获得最佳性能。
视频性能
以下行业标准的做法（见EL2044C
应用部分），这六个设备具有良好的昼夜温差
髓鞘增益（DG）和良好的微分相位（DP）与
±5V电源和外部820Ω电阻为负面
略去供应，在2配置的增益。驱动75Ω
后部端接电缆标准的视频信号电平（ 1.428V
在放大器）的EL2210C ， EL2310C和EL2410C
有0.1％的DG和0.2 ° DP 。该EL2211C ，
EL2311C和EL2411C有0.04％的dG和DP
0.15°.
由于上述的负摆幅限制，
在增益为2倒视频仅仅是不实际的。如果
需要地面以下波动，则更改
额外的820Ω电阻500Ω将允许合理的dG
和DP约-0.75mV 。该EL2211C ，
EL2311C和EL2411C将实现约
0V和-0.75V之间0.1 ％/ 0.4° 。除了-0.75V的dG
并且dp变得更糟几个数量级。
差分增益和差分相位是相当CON-
常数为150Ω以上所有负载。微分相位
性能将改善由若供给的3因子
电压增加到± 6V 。
输出驱动能力
所有这些器件都具有短路保护。每
输出能够100mA以上成短路
输出。必须小心设计中使用，以限制输出
放电流与串联电阻。
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ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
