EL5181C
EL5181C
为8ns高速比较器
倍以上的输入偏置电流
比较：
R
1
V
牛逼ħ
= V
ř Ë ˚F
×
-------------------
R +R
1
2
上述两种方法将产生高达滞后
几百毫伏。除此之外，阻抗
R
3
低到足以影响偏压串和调整
的R
1
可能需要。
功耗
让迟滞为V
H
和计算R
3
:
V
O
R
3
= --------
× (
R
1
||
R
2
)
V
H
其中：
V
O
=V
SD
-0.8V （输出摆幅）
重新计算ř
2
保持的V值相同
TH
:
V
牛逼ħ
V
牛逼ħ
– 0.5V
SD
R
2
1 =
(
V
REF
– V
TH
) ÷
----------- + -------------------------------------
R
3
R
1
当高速开关，比较器的驱动器
能力是通过增加结点温度的限制
造成的内部功耗。对于可靠
操作中，结温必须保持低于
T
JMAX
(125°C).
该设备的功率耗散的近似公式
化如下。假设在功耗
负载非常小：
P
DISS
=
(
V
S
×
I
S
+ V
SD
×
I
S.D。
)
非反相比较器迟滞：
R
3
V
IN
R
1
V
REF
+
-
其中：
V
S
是从V的模拟电源电压
S
+到V
S
-
I
S
每个比较器的模拟静态电源电流
V
SD
是从V的数字电源电压
SD
对地
I
SD
每个比较器的数字电源电流
R
3
增加了输出到正输入的一部分。
注意，当前至R
3
应大得多
比输入偏置电流，以减少差错。
的电阻值如下计算：
挑R的值
1
. R
1
应该是小的（小于1kΩ的）
为了最小化传播延迟时间。
选择迟滞V
H
和计算R
3
:
R
1
R
3
=
(
V
S.D。
– 0.8
) ×
--------
V
I
SD
强烈地依赖于输入的开关频率。
请参阅性能曲线来选择输入
驱动频率。在获得耗散功率
重刑，最高结温可
测定如下：
T
J·M一个X
= T
米一X
+
Θ
J A
×
P
D I S S小
其中：
T
最大
是最大环境温度
θ
JA
是封装的热阻
H
检查当前过R
3
并确保它是
比输入偏置电流大得多如下：
0.5V
S.D。
– V
ř Ë ˚F
I = ---------------------------------------
-
R
3
阈值检测器
的反相输入端连接到一个参考电压
及非反相输入端连接到输入端。如
输入通V
REF
阈值时，比较器的
9
ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
