EL7155C
EL7155C
高性能引脚驱动器
电源旁路
当使用EL7155C ，它的使用方法非常重要
充足的电源旁路。高开关
由EL7155C开发的电流需要使用
在V之间的旁路电容器的
S
+和GND引脚。它
建议使用2.2μF的钽电容使用
在加0.1μ ˚F低电感陶瓷MLC并行
电容。这些应尽可能靠近电源
销越好。它还建议， VH和
VL引脚具有旁路的一些水平，特别是当
EL7155C推动高容性负载。
• I
S
是静态电源电流（ 3毫安最大值），
• f是频率
在获得应用的功耗，一
最大封装的热膨胀系数可能会阻止 -
开采，保持低于内部芯片温度
T
JMAX
:
(
T
JMAX
– T
最大
)
θ
ja
= -------------------------------------
-
PD
其中：
• T
JMAX
是最大结温（125℃ ） ，
• T
最大
是最高工作温度，
• PD为上述计算出的功耗
•
θ
ja
对结到环境的热阻。
θ
ja
对于SO8封装和100 °C / W 160℃ / W的
使用一个标准的JEDEC当PDIP8包
JESD51-3单层测试板。如果T
JMAX
大于
用上面的公式计算时，然后125 ℃下
以下操作之一，必须采取：
•减少
θ
ja
该系统通过设计多个散热片的
到PCB （相比于标准的JEDEC
JESD51-3)
•使用SO8封装的PDIP8 ，而不是
•取消率的应用程序要么通过降低开关
：频率，电容性负载，或者最大
工作（环境）温度（T
最大
)
功耗计算
当在高速下进行切换，或者驱动重负载，
该EL7155C驱动能力是由上升管芯限于
温度由内部功耗所带来的。
对于运行可靠模具温度必须保持
低于T
JMAX
（125 ℃）。有必要计算
功耗来即选择事先给定的应用
荷兰国际集团的封装类型。
功率消耗可以被计算：
PD =
(
V
S
×
I
S
)
+
(
C
INT
×
V
S
×
f
)
+
(
C
L
×
V
OU牛逼
×
f
)
2
2
其中：
• V
S
是总的电源向EL7155C （从
V
S
+到GND ）
• V
OUT
是在输出（ VH - VL ）摆动，
• C
L
是负载电容，
• C
INT
是内部负载电容（ 50pF的最大值） ，
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ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
