EL7558BC
EL7558BC
集成可调8安培同步切换
parator将终止该高侧开关。如果ILMAX
还没有达到，则调节器的输出电压是
相比于参考电压VREF 。所得到的
误差电压求和与电流反馈和
斜率补偿斜坡。高侧开关保持
直到所有三个比较器输入归纳为
零，此时高压侧开关关断，并
低压侧开关导通。为了消除
交叉导通的高侧和低侧开关
10ns的突破前先延迟的整合
开关驱动电路。在操作的连续模式
和灰的低侧开关将保持，直到结束
振荡器周期。为了改善低电流
该EL7558BC的效率，一个过零比较器
检测时，电感器，通过转换为零。开启
结出了低侧开关在零电感器电流
防止正向传导通过内部夹式
ing二极管（ LX到VSSP ）低侧开关导通时
断，从而降低功耗。输出使能
（ OUTEN ）输入允许稳压器的输出是显示
由外部逻辑控制信号禁止。
驱动为高侧和低侧开关是
通过电荷泵包括在CP销的衍生
和外部元件D1〜D3和C 5 -C 6 。在CP
输出是低电阻的逆变器驱动时的二分之一
振荡器的频率。这是用于与
在C2V D2 -D3生成7.5V （典型值）的电压
销，它提供栅驱动器的低边NMOS
开关和相关的电平转换器。为了使用一个
的NMOS开关，用于高侧驱动器，有必要
驱动上述的源极电压（LX）的栅极电压。
这是通过启动魁梧的VHI引脚来实现
上面的C2V电压与电容C6和二极管D1 。
当低侧开关接通对LX的电压是
接近GND电位和电容C6充电
通过二极管D1- D3至约6.9V 。在
开始下一个循环的高压侧开关导通
和LX引脚开始从GND上升到VDD电位
TiAl基。作为LX引脚上升电容器的正极板
1 -C 6所示，并最终达到近似的值
三方共同11.2V
,
当VDD = 5V 。然后这个电压等级
转移和用于驱动高侧FET的栅极，
通过VHI引脚。
输出电压模式选择
该VCC2DET复用FB1和FB2引脚的
PWM控制器。在VCC2DET逻辑1选择
FB2的输入并迫使输出电压提供给内部
3.50V的设定值。在VCC2DET逻辑0
选择FB1和允许输出进行编程
从1.0到3.8V 。大体：
R
3
-
V
OUT
= 1.0V
×
1 + -----
×
伏特
R
4
然而，由于在相对较低的开环增益
系统，会发生作为输出电压的增益误差和
环路增益被改变。这示出在性能上
曲线。 （输出电压在工厂调整为迷你
程度降低误差在2.50V输出）。一个2μA上拉电流
从FB1至VIN迫使VOUT到GND的事件
FB1不使用和VCC2DET是在不经意间瓶酒
的内部和外部反馈模式之间GLED
操作。
参考
1％的温度补偿带隙参考
集成在EL7558BC 。外部CREF capac-
itor作为放大器的主极点，并且可以是
的尺寸增大到最大限度的瞬态噪声抑制。
推荐一个0.1uF的价值。
振荡器
该系统时钟是由一个内部松弛产生
振荡器约为最大占空比
96％。工作频率可通过调节
COSC销，或者可以通过一个外部时钟源来驱动。
如果振荡器是由外部源驱动，护理
必须采取CSLOPE的选择。自从
COSC和CSLOPE值确定开环
该系统的增益，改变COSC要求corre-
为了保持一个应的变化CSLOPE
恒重比。 COSC到推荐比例
CSLOPE是1.5 ：1的
NMOS功率FET和驱动电路
该EL7558BC集成了低电阻（ 25MΩ ）
NMOS场效应晶体管来实现高效率，在图8A 。门
11
温度传感器
内部温度传感器连续地监视
模具温度。倘若模温机
ELANTEC [ ELANTEC SEMICONDUCTOR ]
