欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ELM16601EA-S 参数 Datasheet PDF下载

ELM16601EA-S图片预览
型号: ELM16601EA-S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 互补MOSFET [Complementary MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 587 K
品牌: ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
更多
  •  
  • 供货商
  • 型号*
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 交易说明
  • 询价
批量询价选中的记录已选中0条,每次最多15条。
 浏览型号ELM16601EA-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ELM16601EA-S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号ELM16601EA-S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号ELM16601EA-S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号ELM16601EA-S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号ELM16601EA-S的Datasheet PDF文件第7页 
Complementary MOSFET
ELM16601EA-S
■General Description
ELM16601EA-S uses advanced trench
technology to provide excellent Rds(on)
and low gate charge.
■Features
N-channel
P-channel
Vds=30V
Vds=-30V
Id=3.4A(Vgs=10V)
Id=-2.3A(Vgs=-10V)
Rds(on) < 60mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 135mΩ(Vgs=-10V)
Rds(on) < 75mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 185mΩ(Vgs=-4.5V)
Rds(on) < 115mΩ(Vgs=2.5V) Rds(on) < 265mΩ(Vgs=-2.5V)
■Maximum Absolute Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Power dissipation
Junction and storage temperature range
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
Symbol
Vds
Vgs
Id
Idm
Pd
Tj,Tstg
N-ch (Max.)
30
±12
3.4
2.7
30
1.15
0.73
-55 to 150
P-ch (Max.)
-30
±12
-2.3
-1.8
-30
1.15
0.73
-55 to 150
Unit Note
V
V
A
A
W
°C
1
2
■Thermal Characteristics
Parameter
Maximum junction-to-ambient
Maximum junction-to-ambient
Maximum junction-to-lead
Maximum junction-to-ambient
Maximum junction-to-ambient
Maximum junction-to-lead
Symbol
t≤10s
Steady-state
Steady-state
t≤10s
Steady-state
Steady-state
Rθja
Rθjl
Rθja
Rθjl
P-ch
Device
N-ch
Typ.
78
106
64
78
106
64
Max.
110
150
80
110
150
80
Unit
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Note
1
3
1
3
■Pin configuration
SOT-26(TOP VIEW)
6
■Circuit
Pin No.
1
2
3
4
Pin name
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
SOURCE1
DRAIN1
G1
S1
• N-ch
D1
• P-ch
D2
5
4
1
2
3
5
6
G2
S2
7-1