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ELM34806AA-N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ELM34806AA-N
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内容描述: 双N沟道MOSFET [Dual N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 617 K
品牌: ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
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Dual N-channel MOSFET
ELM34806AA-N
■General description
ELM34806AA-N uses advanced trench technology to
provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate
resistance.
■Features
Vds=40V
Id=7A
Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
■Maximum absolute ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Power dissipation
Junction and storage temperature range
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
Symbol
Vds
Vgs
Id
Idm
Pd
Tj, Tstg
Limit
40
±
20
Unit
V
V
A
A
W
°C
Note
7
6
40
2.0
1.3
-55 to 150
3
■Thermal characteristics
Parameter
Maximum junction-to-ambient
Steady-state
Symbol
Rθja
Typ.
Max.
62.5
Unit
°C/W
Note
■Pin configuration
SOP-8(TOP VIEW)
1
2
3
4
■Circuit
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
Pin name
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
G1
S1
D1
D2
8
7
6
5
G2
S2
4- 1