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ELM34803AA-N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ELM34803AA-N
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内容描述: 双P沟道MOSFET [Dual P-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 523 K
品牌: ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
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Dual P-channel MOSFET
ELM34803AA-N
■General description
ELM34803AA-N uses advanced trench technology to
provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate
resistance.
■Features
Vds=-30V
Id=-8A
Rds(on) < 22mΩ (Vgs=-10V)
Rds(on) < 34mΩ (Vgs=-4.5V)
■Maximum absolute ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Power dissipation
Junction and storage temperature range
L=0.1mH
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
Symbol
Vds
Vgs
Id
Idm
Ias
Eas
Pd
Tj, Tstg
Limit
-30
±25
-8
-6
-40
-30
45
2.00
1.28
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
3
Note
■Thermal characteristics
Parameter
Maximum junction-to-ambient
Symbol
Rθja
Typ.
Max.
62.5
Unit
°C/W
Note
■Pin configuration
SOP-8(TOP VIEW)
1
2
3
4
■Circuit
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
Pin name
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
G1
S1
D1
D2
8
7
6
5
G2
S2
4-1