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ELM34606AA-N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ELM34606AA-N
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内容描述: 互补MOSFET [Complementary MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 991 K
品牌: ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
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Complementary MOSFET
ELM34606AA-N
■General Description
ELM34606AA-N uses advanced trench
technology to provide excellent Rds(on)
and low gate charge.
■Features
N-channel
Vds=30V
Id=4A
Rds(on) < 60mΩ(Vgs=10V)
Rds(on) < 95mΩ(Vgs=4.5V)
P-channel
Vds=-30V
Id=-5A
Rds(on) < 45mΩ(Vgs=-10V)
Rds(on) < 80mΩ(Vgs=-4.5V)
■Maximum Absolute Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Power dissipation
Junction and storage temperature range
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
Symbol
Vds
Vgs
Id
Idm
Pd
Tj,Tstg
N-ch (Max.)
30
±20
4
3
12
2.0
1.3
-55 to 150
P-ch (Max.)
-30
±20
-5
-4
-20
2.0
1.3
-55 to 150
Unit Note
V
V
A
A
W
°C
3
■Thermal Characteristics
Parameter
Maximum junction-to-ambient
Maximum junction-to-ambient
Symbol
Rθja
Rθja
Device
N-ch
P-ch
Typ.
Max.
62.5
62.5
Unit
°C/W
°C/W
Note
■Pin configuration
SOP-8(TOP VIEW)
1
2
3
4
■Circuit
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
Pin name
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
G1
S1
• N-ch
D1
• P-ch
D2
8
7
6
5
G2
S2
7-1