单P沟道MOSFET
ELM13415CA-S
.Electrical特点
参数
静态参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
BVDSS n = -250μA ， VGS = 0V
IDSS
IGSS
Vds=-20V
Vgs=0V
VDS = 0V ， VGS = ± 8V
-0.30
-30
-0.57
37
Tj=125°C
52
45
54
65
20
-0.64
-1.00
-2
620
VGS = 0V ， VDS = -10V ， F = 1MHz的
80
50
7.4
1.2
1.0
780
115
80
9.3
1.5
1.8
120
VGS = -4.5V ， VDS = -10V
240
2.8
11
24
2.0
14
30
17
36
940
150
110
11.0
1.8
2.5
Tj=55°C
-20
-1
-5
±10
-0.90
43
62
54
73
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
mΩ
V
μA
μA
V
A
符号
条件
分钟。
典型值。
Ta=25°C
MAX 。 UNIT
VGS （ TH）的Vds = Vgs的，ID = -250μA
ID（上） VGS = -4.5V ， VDS = -5V
Vgs=-4.5V
Id=-4A
静态漏源导通电阻
RDS（ON） VGS = -2.5V ，ID = -4A
VGS = -1.8V ，ID = -2A
VGS = -1.5V ，ID = -1A
正向跨导
二极管的正向电压
马克斯。体二极管续流
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
注意：
政府飞行服务队
VSD
Is
西塞
科斯
CRSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
tf
TRR
QRR
VDS = -5V ，ID = -4A
是= -1A ， VGS = 0V
VGS = -4.5V ， VDS = -10V
Id=-4A
TD （关闭） RL = 2.5Ω ， RGEN = 3Ω
如果= -4A ， DL / DT = 500A / μs的
如果= -4A ， DL / DT = 500A / μs的
1. RθJA的值被测量与安装在1in² FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境
与TA = 25 ℃。在任何给定的应用价值依赖于用户的特定网络Ç板设计。
2.功耗，Pd是基于TJ（MAX） = 150 ° C，采用10秒结到环境的热阻。
3.重复等级，脉冲宽度有限的结温Tj （最大值） = 150℃。额定值基于低频
和占空比，以保持初始温度Tj = 25 ℃。
4. RθJA为结点的热阻抗导致Rθjl ，并导致周围的总和。
5.在图1至6使用的是<300μs脉冲，占空比0.5％以下所获得的静态特性。
6.这些曲线是基于其测量安装在设备的结到环境的热阻抗
在1平方英寸FR- 4板2oz.Copper ，假设TJ（MAX）的最高结温= 150 ℃。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
5- 2
ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
