单N沟道MOSFET
ELM13410CA-S
■概述
ELM13410CA -S采用先进沟道技术
以提供优良的Rds(on ),低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V 。
■特点
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Vds=30V
ID = 5.8A ( VGS = 10V )
RDS(ON) < 28mΩ ( VGS = 10V )
RDS(ON) < 33mΩ ( VGS = 4.5V )
RDS(ON) < 52mΩ ( VGS = 2.5V )
RDS(ON) < 70mΩ ( VGS = 1.8V)
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ , TSTG
极限
30
±
12
单位
V
V
A
A
W
°C
记
5.8
4.9
30
1.4
1.0
-55到150
1
2
1
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t≤10s
稳态
稳态
RΘJA
RÛJL
典型值。
65
85
43
马克斯。
90
125
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
3
■引脚CON组fi guration
SOT- 23 ( TOP VIEW )
3
●电路
D
PIN号
1
2
引脚名称
门
来源
漏
G
S
1
2
3
4- 1