单P沟道MOSFET
ELM13401CA-S
■概述
ELM13401CA -S采用先进沟道技术
提供优良的Rds(on ),低栅极电荷和低栅
性。
■特点
•
•
•
•
•
Vds=-30V
ID = -4.2A ( VGS = -10V )
RDS(ON) < 50mΩ以下( VGS = -10V )
RDS(ON) < 65mΩ ( VGS = -4.5V )
RDS(ON) < 120MΩ ( VGS = -2.5V )
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ , TSTG
极限
-30
±
12
-4.2
-3.5
-30
1.4
1.0
-55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
1
2
1
记
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
t≤10s
稳态
稳态
符号
RΘJA
RÛJL
典型值。
65
85
43
马克斯。
90
125
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
3
■引脚CON组fi guration
SOT- 23 ( TOP VIEW )
3
●电路
D
PIN号
1
2
引脚名称
门
来源
漏
G
S
1
2
3
4- 1