单N沟道MOSFET
ELM14440AA-N
.Electrical特点
参数
静态参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
马克斯。体二极管续流
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
总栅极电荷（ 10V ）
总栅极电荷（ 4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
注意：
1. RθJA的值被测量与安装在1in² FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境
与TA = 25 ℃。在任何给定应用的价值取决于用户的特定网络Ç板设计，额定电流为
基于t ≤ 10秒themal性的评价。
2.重复评级，脉冲宽度有限的结温。
3. RθJA是从结点的热阻抗导致Rθjl而导致环境的总和。
4.在图1至图6中的静特性使用为80μs脉冲，占空比0.5％以下，获得。
5.这些测试使用安装在1in² FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境
与TA = 25 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
符号
条件
分钟。
60
典型值。
Ta=25°C
MAX 。 UNIT
V
1
5
100
μA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
2.00
10.5
5.5
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
7.0
4.0
20.0
3.0
35.0
ns
ns
ns
ns
ns
nC
BVDSS n = 250μA ， VGS = 0V
IDSS
IGSS
Vds=48V
Vgs=0V
VDS = 0V ， VGS = ± 20V
Tj=55°C
VGS （ TH）的Vds = Vgs的，ID = 250μA
ID（上） VGS = 10V ， VDS = 5V
Vgs=10V
RDS（ON） n = 5A
政府飞行服务队
VSD
Is
西塞
COSS VGS = 0V ， VDS = 30V ， F = 1MHz的
CRSS
RG VGS = 0V ， VDS = 0V ， F = 1MHz的
Qg
Qg
QGS
QGD
VGS = 10V ， VDS = 30V ，ID = 5A
VGS = 4.5V ，ID = 4A
VDS = 5V ，ID = 5A
是= 1A ， VGS = 0V
Tj=125°C
1.0
20
2.3
42
75
54
11
0.78
3.0
55
75
1.00
4
450
60
25
1.65
8.5
4.3
1.6
2.2
5.1
2.6
15.9
2.0
如果= 5A ， DL / DT = 100A / μs的
如果= 5A ， DL / DT = 100A / μs的
25.1
28.7
540
TD （上）
tr
VGS = 10V ， VDS = 30V
TD （关闭） RL = 6Ω ， RGEN = 3Ω
tf
TRR
QRR
4- 2
ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
