5
4
10000
Vds=15V
Id=9.3A
C
国际空间站
f=1MHz
Vgs=0V
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
电容(pF)
VGS (伏特)
1000
C
OSS
FET +肖特基
C
RSS
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS (伏特)
图8 :电容特性
100.0
TJ ( MAX)= 150 ° C, TA = 25 ℃,
RDS ( ON)
有限
10.0
1ms
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
VDS (伏特)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注5 )
10
100
100Ps
10Ps
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
功率(W)的
ID ( A)
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注5 )
10
Z
TJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
Pd
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗