单N沟道MOSFET
ELM16400EA-S
■概述
ELM16400EA -S采用先进沟道技术
以提供优良的Rds(on ),低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。
■特点
•
•
•
•
•
Vds=30V
ID = 6.9A ( VGS = 10V )
RDS(ON) < 28mΩ ( VGS = 10V )
RDS(ON) < 33mΩ ( VGS = 4.5V )
RDS(ON) < 52mΩ ( VGS = 2.5V )
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ , TSTG
极限
30
±
12
单位
V
V
A
A
W
°C
记
6.9
5.8
35
2.00
1.44
-55到150
1
2
1
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
t≤10s
稳态
稳态
符号
RΘJA
RÛJL
典型值。
47.5
74.0
37.0
马克斯。
62.5
110.0
50.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
3
■引脚CON组fi guration
SOT- 26 ( TOP VIEW )
6
●电路
D
5
4
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
漏
漏
门
来源
漏
漏
G
S
1
2
3
4- 1