单P沟道MOSFET
ELM16409EA-S
■概述
ELM16409EA -S采用先进沟道技术
以提供优良的Rds(on ),低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V和内部
ESD保护。
■特点
•
•
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Vds=-20V
ID = -5A ( VGS = -4.5V )
RDS(ON) < 45mΩ ( VGS = -4.5V )
RDS(ON) < 56mΩ ( VGS = -2.5V )
RDS(ON) < 75mΩ ( VGS = -1.8V )
ESD额定值: 3000V HBM
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ , TSTG
极限
-20
±
8
单位
V
V
A
A
W
°C
记
-5.0
-4.2
-30
2.00
1.28
-55到150
1
2
1
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
t≤10s
稳态
稳态
符号
RΘJA
RÛJL
典型值。
47.5
74.0
37.0
马克斯。
62.5
110.0
50.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
3
■引脚CON组fi guration
SOT- 26 ( TOP VIEW )
6
5
●电路
D
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
漏
漏
门
来源
漏
漏
4
G
1
2
3
S
4- 1