双P沟道MOSFET
ELM18807BA-S
■概述
ELM18807BA -S采用先进沟道技术
提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。国内
ESD保护是包括在内。
■特点
•
•
•
•
•
•
Vds=-12V
•ESD保护
ID = -6.5A （ VGS = -4.5V ）
RDS（ON） < 20MΩ （ VGS = -4.5V ）
RDS（ON） < 24mΩ （ VGS = -2.5V ）
RDS（ON） 30mΩ到< （ VGS = -1.8V ）
RDS（ON） < 36mΩ （ VGS = -1.5V ）
极限
-12
±8
-6.5
-5.0
-60
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
A
W
°C
3
2
记
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ ， TSTG
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
t≤10s
稳态
稳态
符号
RΘJA
RÛJL
典型值。
73
96
63
马克斯。
90
125
75
单位
° C / W
° C / W
° C / W
记
1
1, 4
■引脚CON组fi guration
TSSOP - 8 （ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
PIN号
1
2
3
4
D1
引脚名称
DRAIN1
SOURCE1
SOURCE1
GATE1
PIN号
5
6
7
8
D2
引脚名称
GATE2
SOURCE2
SOURCE2
DRAIN2
●电路
G1
Rg
G2
Rg
S1
S2
4- 1
ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
