欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

ELM18806BA-S 参数 Datasheet PDF下载

ELM18806BA-S图片预览
型号: ELM18806BA-S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N沟道MOSFET [Dual N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 88 K
品牌: ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
 浏览型号ELM18806BA-S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号ELM18806BA-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ELM18806BA-S的Datasheet PDF文件第3页  
5
4
Vds=10V
Id
=7A
2000
1600
电容(pF
)
C
国际空间站
1200
800
C
RSS
400
0
C
OSS
VGS (伏
s)
3
2
1
0
0
5
10
15
20
QG ( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
5
10
15
20
VDS (伏特)
图8 :电容特性
100.0
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
RDS ( ON)
有限
10Ps
100Ps
1ms
0.1s
10ms
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
ID (安培)
功率(W)的
10.0
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
VDS (伏特)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
TJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
a
+P
dm
.Z
TJA
.R
TJA
R
TJA
=83°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
Pd
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗