单P沟道MOSFET
ELM33415CA-S
.Electrical特点
参数
静态参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
马克斯。体二极管续流
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
西塞
COSS VGS = 0V ， VDS = -10V ， F = 1MHz的
CRSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
tf
TRR
QRR
VGS = -4.5V ， VDS = -10V
Id=-3.5A
VGS = -4.5V ， VDS = -10V
1180
185
117
16.7
1.8
4.6
20
36
45
62
30
14
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
2
2
2
2
2
2
2
符号
条件
分钟。
-20
-1
-10
±100
-0.45 -0.60 -0.90
-21
40
48
60
17
-1.3
-3.5
51
61
71
Ta=25°C
典型值。马克斯。单位注
V
μA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
1
1
1
1
BVDSS VGS = 0V ，ID = -250μA
IDSS
IGSS
VDS = -16V ， VGS = 0V
VDS = -10V ， VGS = 0V ， TJ = 70℃
VDS = 0V ， VGS = ± 8V
VGS （ TH）的Vds = Vgs的，ID = -250μA
ID（上） VGS = -4.5V ， VDS = -5V
VGS = -4.5V ，ID = -3.5A
RDS（ON） VGS = -2.5V ，ID = -3.5A
VGS = -1.8V ，ID = -2.0A
政府飞行服务队
VSD
Is
VDS = -5V ，ID = -3.5A
如果= -3.5A ， VGS = 0V
TD （关闭） Id≈ - 3.5A ， RGEN = 3.3Ω
如果= -3.5A ， DL / DT = 100A / μs的
注意：
1.脉冲width≤300μsec和责任cycle≤2 ％ 。
2，独立工作温度。
3.脉冲宽度有限的最高结温。
4.占空比≤ 1 ％ 。
4-2
ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
