双P沟道MOSFET
ELM34803AA-N
■概述
ELM34803AA -N采用先进沟道技术
提供优良的Rds(on ),低栅极电荷和低栅
性。
■特点
•
•
•
•
Vds=-30V
Id=-8A
RDS(ON) < 22MΩ ( VGS = -10V )
RDS(ON) < 34mΩ ( VGS = -4.5V )
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
功耗
结温和存储温度范围
L=0.1mH
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
IAS
EAS
Pd
TJ , TSTG
极限
-30
±25
-8
-6
-40
-30
45
2.00
1.28
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
3
记
。热特性
参数
最大结点到环境
符号
RΘJA
典型值。
马克斯。
62.5
单位
° C / W
记
■引脚CON组fi guration
SOP- 8 ( TOP VIEW )
1
2
3
4
●电路
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
G1
S1
D1
D2
8
7
6
5
G2
S2
4-1