互补MOSFET
ELM34608AA-N
■概述
ELM34608AA -N采用先进沟道
技术来提供优良的Rds(on )
和低栅极电荷。
■特点
•
•
•
•
N沟道
Vds=60V
Id=4.5A
RDS(ON) < 58mΩ ( VGS = 10V )
RDS(ON) < 85mΩ ( VGS = 4.5V )
P沟道
Vds=-60V
Id=-3.5A
RDS(ON) < 90mΩ ( VGS = -10V )
RDS(ON) < 135mΩ ( VGS = -4.5V )
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
功耗
结温和存储温度范围
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
Pd
TJ , TSTG
N沟道(最大)
60
±20
4.5
4.0
20
2.0
1.3
-55到150
P- CH(最大)
-60
±20
-3.5
-3.0
-20
2.0
1.3
-55到150
单位注
V
V
A
A
W
°C
3
。热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
符号
RΘJA
RΘJA
设备
N沟道
P沟道
典型值。
马克斯。
62.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
记
■引脚CON组fi guration
SOP- 8 ( TOP VIEW )
1
2
3
4
●电路
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
SOURCE1
GATE1
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
G1
S1
• N沟道
D1
• P沟道
D2
8
7
6
5
G2
S2
7-1