双N沟道MOSFET
ELM38800BA-S
■概述
ELM38800BA -S采用先进沟道技术
提供优良的Rds(on ),低栅极电荷和低栅
性。
■特点
•
•
•
•
•
Vds=20V
Id=6.3A
RDS(ON) < 22MΩ ( VGS = 4.5V )
RDS(ON) < 26mΩ ( VGS = 2.5V )
RDS(ON) < 34mΩ ( VGS = 1.8V)
■最大绝对额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
雪崩电流
雪崩能量
功耗
结温和存储温度范围
L=0.1mH
Ta=25°C
Ta=70°C
Ta=25°C
Ta=70°C
符号
VDS
VGS
Id
IDM
IAS
EAS
Pd
TJ , TSTG
极限
20
±12
6.3
5.0
50
22
23
1.4
0.9
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
4
3, 4
记
。热特性
参数
最大结点到环境
符号
RΘJA
典型值。
马克斯。
90
单位
° C / W
记
5
■引脚CON组fi guration
TSSOP - 8 ( TOP VIEW )
1
2
3
4
8
7
6
5
●电路
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
GATE1
SOURCE1
SOURCE1
DRAIN1
DRAIN2
SOURCE2
SOURCE2
GATE2
G1
S1
D1
D2
G2
S2
4- 1