ELM77xxxxxC
CMOS双路电压检测器
ELM772409BC （ Vdetn1 = 0.9V ， Vdetn2 = 2.4V ）
RPULLUP = 100K ， VPULLUP = 3V ，除非另有specified.Top = 25°C
参数
符号
条件
分钟。典型值。马克斯。单位注
工作电压
VDD
1.0
6.0
V
-
检测电压1
Vdetn1 VDD = 1.5V ， Vdet中=电压检测
0.870 0.900 0.930
V
1
检测电压2
Vdetn2 VDD =电压检测
2.352 2.400 2.448
V
1
Vdetn1 Vdetn1 Vdetn1 V
迟滞宽度1
Vhys1
1
×0.04 ×0.08 ×0.12
Vdetn2 Vdetn2 Vdetn2 V
迟滞宽2
Vhys2
1
×0.02 ×0.04 ×0.06
消耗电流
IDD VDD = 3.0V ， Vdet中= 0V ， OUT1,2 ：不限
0.6
2.0
μA
2
输出当前1
Ioutn1 VDD = 1.0V ， Vdet中= 0V ， VOUT1 = 0V
1
3
mA
3
输出电流2
Ioutn2 VDD = 1.0V ， Vout2的= 0.5V
1
3
mA
3
漏极开路
Ileak1 VDD = 6.0V ， Vdet中= 6.0V ， VOUT1 = 6.0V
0.001 0.400
μA
3
泄漏电流1
漏极开路
Ileak2 VDD = 6.0V ， Vdet中= 6.0V ， Vout2的= 6.0V
0.001 0.400
μA
3
漏电流2
输入阻抗
RDET Vdet中= 5.0V ， VDD = 0V
10
MΩ
4
检测延迟1
tPHL1 VDD = 6.0V ， Vdet中= 6.0V → 0V
160
μs
5
检测延迟2
tPHL2 VDD = 6.0V → 1.0V
70
μs
6
释放延迟1
tPLH1 VDD = 6.0V ， Vdet中= 0V → 6.0V
120
μs
5
释放延迟2
tPLH2 VDD = 1.0V → 6.0V
60
μs
6
△ VDETN
温度
±
100
TOP = -40 ° C至+ 85°C
PPM / °C -
Vdetn系数
¡顶部
注：测试电路号
ELM772709BC （ Vdetn1 = 0.9V ， Vdetn2 = 2.7V ）
RPULLUP = 100K ， VPULLUP = 3V ，除非另有specified.Top = 25°C
参数
符号
条件
分钟。典型值。马克斯。单位注
工作电压
VDD
1.0
6.0
V
-
检测电压1
Vdetn1 VDD = 1.5V ， Vdet中=电压检测
0.870 0.900 0.930
V
1
检测电压2
Vdetn2 VDD =电压检测
2.645 2.700 2.754
V
1
Vdetn1 Vdetn1 Vdetn1 V
迟滞宽度1
Vhys1
1
×0.04 ×0.08 ×0.12
Vdetn2 Vdetn2 Vdetn2 V
迟滞宽2
Vhys2
1
×0.02 ×0.04 ×0.06
消耗电流
IDD VDD = 3.0V ， Vdet中= 0V ， OUT1,2 ：不限
0.6
2.0
μA
2
输出当前1
Ioutn1 VDD = 1.0V ， Vdet中= 0V ， VOUT1 = 0V
1
3
mA
3
输出电流2
Ioutn2 VDD = 1.0V ， Vout2的= 0.5V
1
3
mA
3
漏极开路
Ileak1 VDD = 6.0V ， Vdet中= 6.0V ， VOUT1 = 6.0V
0.001 0.400
μA
3
泄漏电流1
漏极开路
Ileak2 VDD = 6.0V ， Vdet中= 6.0V ， Vout2的= 6.0V
0.001 0.400
μA
3
漏电流2
输入阻抗
RDET Vdet中= 5.0V ， VDD = 0V
10
MΩ
4
检测延迟1
tPHL1 VDD = 6.0V ， Vdet中= 6.0V → 0V
160
μs
5
检测延迟2
tPHL2 VDD = 6.0V → 1.0V
70
μs
6
释放延迟1
tPLH1 VDD = 6.0V ， Vdet中= 0V → 6.0V
120
μs
5
释放延迟2
tPLH2 VDD = 1.0V → 6.0V
60
μs
6
△ VDETN
温度
±
100
TOP = -40 ° C至+ 85°C
PPM / °C -
Vdetn系数
¡顶部
注：测试电路号
10 - 4
ELM-TECH [ ELM Technology Corporation ]
